旗舰手机标配！UFS 4.0主控芯片汇总，驱动生成式AI设备的存储引擎

摘要： 日前发布了一个全新的系统更新而该更新似乎为最终幻想带来了一些问题更新后一些上的玩家报告了最终幻想游戏崩溃以及游戏的画面出现问题人工智能技术的快速发展生成式已成为当前时代的核心发展方...

日前PS5发布了一个全新的系统更新，而该更新似乎为《最终幻想16》带来了一些问题。更新后，一些PS5上的玩家报告了《最终幻想16》游戏崩溃以及游戏的画面出现问题。

人工智能技术的快速发展，生成式AI已成为当前时代的核心发展方向。将生成式AI引入智能设备，特别是随身携带的智能终端中，已被视为未来技术发展的必然趋势。智能手机作为最重要的终端之一，正成为生成式AI应用的先锋 。

生成式AI对闪存提出了很高的要求，特别是在数据处理速度和传输效率方面，目前最高的闪存标准是JEDEC协会在2022年推出了UFS 4.0标准，相比上一代，传输速度等方面具有翻倍的提升，相信也是之后旗舰手机乃至新一代AI手机的标配。充电头网也将UFS各代的主要参数汇总成下表所示，让各位有一个更加 的了解

顺序读写速度会因不同的设备、 环境以及芯片厂商的优化等因素而有所差异，故以上均为理论参数大致范围，数据仅供参考。

在这一背景下，各大存储主控芯片厂商也纷纷加快了对UFS 4.0 方案的布局。

充电头网汇总了目前市面已知的一些UFS4.0主控芯片，并已汇总成下表所示，方便各位选型和了解。

排名不分先后，按企业英文首字母排序。

铠侠 一代UFS 4.0闪存芯片提供256GB、512GB和1TB容量规格。这款芯片采用了铠侠的Bi Flash 3D闪存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS 3.1。

与上一代UFS 4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧维持在464 B/s。另外，新产品采用JEDEC标准的9mm×13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小18%，其中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm，1TB的封装厚度为0.9mm。

这款存储基于232层3D NAND技术构建，尺寸只有9×13mm，跟去年6月份发布的11×13mm存储 方案相比，前者的尺寸缩小了20%，同时也没有影响性能。该存储最高提供1TB空间，顺序读取速度达到了430 B/s，顺序写入速度达到了400 B/s。

PS8361瞄准最高规格的旗舰手机市场，属于UFS 4.0控制芯片，采用了12nm工艺制造，为四通道设计，最大闪存容量为1TB，搭载第六代LDPC+RAID ECC纠错技术，顺序读写速度可超过400 B/s，在其每单位mA的读取性能提升下，将能有效延长移动设备的电池使用效率。

三星新开发的 UFS 4.0 采用三星第 7 代 V-NAND 和专有控制器，将实现 4200 MB/s的顺序读取速度和 2800 MB/s 的顺序写入速度，分别是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍左右。能效同样获得大幅提升。三星全新 UFS 4.0 每毫安 (mA) 电力可提供高达 6.0 MB/s 的顺序读取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同电池容量下，它让智能手机获得更长续航时间。

三星 UFS 4.0 增 一个先进的重放保护内存块 (RPMB)。利用这种设计，对于仅在通过身份验证后才能读取或写入的重要个人数据，存储效率提高了 1.8 倍。这款新型移动存储 方案极为小巧，最大外形仅 11mm x 13mm x 1mm，最高容量可达 1TB。

2756主控芯片可以说是目前最先进的UFS4.0主控 方案之一，基于6nmEUV工艺技术，采用了双通道设计，运用了MIPIM-PHY低功耗架构，使其在性能与功耗间取得完美的平衡，满足了当今 人工智能移动装置24小时运算的需求。

在性能方面， 2756能够提供超过4,30 B/s的顺序读取速度和超过4,00 B/s的顺序写入速度，同时支持 的3DTLC和QLCNAND闪存技术，并能处理高达2TB的存储容量。

生成式AI技术的迅猛发展，智能设备的存储性能需求也在不断提升。UFS 4.0作为当前存储技术的前沿标准，正在逐渐成为智能终端的标配。

UFS 4.0不仅在传输速度方面大幅提升，更在功耗控制和数据安全性上进行了优化，使得智能手机和平板电脑等设备在处理生成式AI任务时具备更高的能效与续航表现。通过采用更先进的工艺技术以及NAND闪存架构，这些主控芯片能够为设备提供更高的性能，满足未来AI时代的严苛需求。